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1nm晶体管的诞生增加了14nm芯片的电流过程

文章来源:365bet亚洲备用网址 阅读: 发布时间:2019-05-11  

[TechWeb报道]10月9日消息,据国外媒体报道,近日,美国劳伦斯伯克利国家实验室已经打破了物理极限并开发出世界上最小的晶体管(仅1纳米)。
这意味着未来的处理器性能和功耗将得到显着提升。
1 nm晶体管14 nm主电流芯片的第二次杀灭过程的诞生
晶体管工艺的大小始终是计算机技术进步的关键指标,劳伦斯伯克利国家实验室已将最复杂的晶体管工艺从14纳米减少到1纳米。未来,电子元件的空间,处理器性能和功耗将会小得多,而且消耗将是一个突破。
这项研究由阿里教授领导的一个小组进行。AliJavey开发出世界上最小的晶体管,使用碳纳米管和一种叫做二硫化钼的化合物。
从芯片制造的角度来看,7纳米是物理极限。
如果晶体管的尺寸低于该数值,则隧道的量子浓度集中到物理形式,并且阻止从源极到漏极的电流。
因此,业界普遍认为,为了解决这个问题,必须能够通过现有逻辑门电路的设计继续在不同的逻辑门之间投射电子。
正如德赛所说:
人们总是使用有机硅材料来减小电子元件的尺寸。
我们放弃了有机硅材料并选择了二硫化钼。结果,仅开发了一个纳米门。
劳伦斯伯克利国家实验室的1纳米晶体管由碳纳米管和二硫化钼(MoS 2)制成。虽然碳纳米管负责控制逻辑门中的电子流动,但MoS2将负责原始半导体。
目前,我们使用的主要芯片工艺是14纳米。明年,整个行业将开始在10纳米工艺中发展。
实验室的研究刚刚开始,一种类型的晶体管超过十亿个。大规模生产的难度太大,无法将晶体管减小到1纳米。
(室外)

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